ゲインチップは、外部共振器型レーザーダイオードの光利得媒体として使用される半導体光学素子です。ゲインチップは、回折格子などの波長選択フィルタを用いて発振波長を変更できるTLS(チューナブル光源)として使用されます。Inphenixは、光コヒーレントトモグラフィーやチューナブルレーザーに最適な、高性能で信頼性の高いゲインチップを提供しています。今すぐレーザーシステムを強化しましょう。お客様のレーザーシステムのニーズに最適なゲインチップソリューションを見つけてください。短波長、中波長、長波長など、Inphenixは多用途で高品質なオプションをご用意しています。
| Window(nm) From To: | ASE Peak Wavelength(nm) | Threshold Current(mA) | Slope Efficiency(%) | ASE Bandwidth(nm) | Part Number |
|---|---|---|---|---|---|
| Window(nm) | ASE Peak Wavelength(nm) | Threshold Current(mA) | Slope Efficiency(%) | ASE Bandwidth(nm) | Part Number |
| 820 | 820 | 10 | 40 | 25 | IPSGC0801 |
| 1310 | 1310 | 12 | 25 | 40 | IPSGC1301 |
| 1550 | 1550 | 15 | 20 | 40 | IPSGC1501 |
ゲインチップは最適な増幅と精度を提供するように設計されており、特定のニーズに合わせてカスタムゲインチップオプションもご利用いただけます。Inphenixの820nm、1310nm、1550nmゲインチップは、様々なレーザーシステムに対応し、単一FBGレーザーや外部チューナブルキャビティレーザーなど、様々なレーザーアプリケーションに対応する多用途ゲイン媒体として機能します。これらのゲインチップは、光コヒーレントトモグラフィー研究者の厳しい要件を満たすように細心の注意を払って設計されており、高い性能と信頼性を保証します。820nmゲインチップは特に短波長を必要とするアプリケーションに適しており、1310nmと1550nmのゲインチップはそれぞれ中波長と長距離波長のニーズに対応します。各ゲインチップは最適な増幅を提供するように設計されており、統合されたレーザーシステムの全体的な効率と精度を向上させます。
Inphenixは、包括的なデータシート仕様に準拠した幅広い標準ゲインチップを提供しており、すべての製品において一貫性と品質を確保しています。また、独自の要件を持つ研究者向けに、特定のアプリケーションニーズに合わせてカスタマイズされたカスタムゲインチップ ソリューションも提供しています。当社のカスタムゲインチップは、お客様との緊密な連携のもと、高度な製造能力と専門知識を活かして開発されています。標準ゲインチップでもカスタムゲインチップでも、Inphenixは最高水準の性能と信頼性を備えた製品を提供することに尽力し、光干渉断層撮影(OCT)分野における最先端の研究開発を支援しています。