半導体光増幅器(SOPA)は、本質的には入力ポートと出力ポートからのフィードバックを持たないレーザーダイオード(LD)であり、進行波増幅器(TWA)とも呼ばれます。半導体光増幅器は、光ネットワークの重要な構成要素となる、汎用性と多機能性を備えたデバイスであることが実証されています。
半導体光増幅器の特性を表すパラメータは5つあります:(1)利得(Gs)、(2)利得帯域幅、(3)飽和出力電力(PSAT)、(4)雑音指数(NF)、(5)偏波依存利得(PDG)。
半導体光増幅器は、広い帯域幅と高い飽和電力を備えており、さまざまな帯域、ネットワーク、アプリケーションで重要な役割を果たします
Peak Wavelength(nm) To:From: |
Category |
Typical Gain(dB) From: To |
Typcial Psat(dBm) ToFrom: |
Typical Spectral Width(nm) To:From: |
Max. Noise Figure To(dB) From: |
Typical Current(mA) To: |
Polarization Dependent or Independent |
Package |
Part Number |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Peak Wavelength(nm) | Category | Typical Gain(dB) | Typcial Psat(dBm) | Typical Spectral Width(nm) | Max. Noise Figure(dB) | Typical Current(mA) | Polarization Dependent or Independent |
Package | Part Number |
| 880 | In-Line | 20 | 10 | 40 | 8 | 150 | Dependent | Butterfly | IPSAD0801 |
| 1015 | In-Line | 20 | 11 | 80 | 8 | 250 | Dependent | Butterfly | IPSAD1002 |
| 1040 | In-Line | 25 | 10 | 55 | 8 | 250 | Dependent | Butterfly | IPSAD1003 |
| 1050 | In-Line | 25 | 10 | 45 | 10 | 300 | Dependent | Butterfly | IPSAD1001 |
| 1285 | In-Line | 30 | 17 | 60 | 7.5 | 700 | Dependent | Butterfly | IPSAD1201 |
| 1300 | In-Line | 30 | 15 | 60 | 7 | 700 | Dependent | Butterfly | IPSAD1305 |
| 1300 | In-Line | 19 | 7 | 80 | 7.5 | 300 | Dependent | Butterfly | IPSAD1306 |
| 1310 | Booster | 10 | 11 | 40 | 7.5 | 300 | Independent | Butterfly | IPSAD1307 |
| 1310 | Booster | 22 | 10 | 45 | 7.5 | 250 | Independent | Butterfly | IPSAD1301 |
| 1310 | In-Line | 19 | 7 | 50 | 7.5 | 250 | Independent | Butterfly | IPSAD1303 |
| 1310 | In-Line | 29 | 9 | 40 | 7.5 | 200 | Independent | Butterfly | IPSAD1308 |
| 1310 | Pre-amplifier | 16 | 10 | 55 | 7 | 250 | Independent | Butterfly | IPSAD1304 |
| 1310 | Pre-amplifier | 15 | 7 | 45 | 7.5 | 250 | Independent | 8-Pin | IPSAD1309 |
| 1310 | Switch | 18 | 6 | 40 | 9 | 100 | Dependent | Butterfly | IPRAD1301 |
| 1310 | Switch | 10 | 4 | 50 | 7.5 | 100 | Independent | Butterfly | IPSAD1302 |
| 1490 | Pre-amplifier | 16 | 11 | 55 | 8 | 300 | Independent | Butterfly | IPSAD1402 |
| 1490 | Pre-amplifier | 26 | 9 | 40 | 8 | 400 | Independent | Butterfly | IPSAD1401 |
| 1525 | In-Line | 19 | 7 | 50 | 8 | 300 | Dependent | Butterfly | IPSAD1506 |
| 1550 | Booster | 13 | 14 | 55 | 9 | 500 | Independent | Butterfly | IPSAD1505 |
| 1550 | Booster | 20 | 10 | 45 | 9 | 350 | Independent | Butterfly | IPSAD1501 |
| 1550 | Booster | 15 | 10 | 55 | 9 | 350 | Independent | Butterfly | IPSAD1504 |
| 1550 | Booster | 14 | 16 | 60 | 9 | 700 | Dependent | Butterfly | IPSAD1507 |
| 1550 | Booster | 25 | 12 | 60 | 9 | 500 | Dependent | Butterfly | IPSAD1509 |
| 1550 | Booster | 10 | 12 | 40 | 9 | 300 | Independent | Butterfly | IPSAD1510 |
| 1550 | In-Line | 16 | 5 | 50 | 9 | 350 | Independent | Butterfly | IPSAD1503 |
| 1550 | In-Line | 28 | 8 | 45 | 9 | 350 | Dependent | Butterfly | IPSAD1508 |
| 1550 | Switch | 10 | 3 | 50 | 10 | 120 | Independent | Butterfly | IPSAD1502 |
| 1550 | Switch | 18 | 6 | 40 | 9 | 100 | Independent | Butterfly | IPRAD1501 |
| 1550 | Switch | 22 | 8 | 60 | 9.5 | 600 | Dependent | Butterfly | IPSAD1511 |
| 1550 | Switch | 13 | 12 | 60 | 9.5 | 400 | Independent | Butterfly | IPSAD1512 |
| 1550 | Switch | 22 | 13 | 60 | 9.5 | 600 | Independent | Butterfly | IPSAD1513 |
| 1550 | Switch | 25 | 13 | 40 | 9.5 | 600 | Dependent | Butterfly | IPSAD1514 |
| 1550 | Booster | 20 | 20 | 40 | 8.0 | 1000 | Dependent | Butterfly | IPSAD1515 |
| 1600 | Booster | 20 | 9 | 50 | 10.0 | 400 | Independent | Butterfly | IPSAD1601 |
| 1650 | Booster | 25 | 13 | 40 | 9.5 | 600 | Dependent | Butterfly | IPSAD1602 |
半導体光増幅器は、特定の用途に適した最高のゲインを持つ必要があります。また、半導体光増幅器が広範囲の信号波長を増幅できるように、広い光帯域幅も望ましいです。ゲイン飽和効果は出力に望ましくない歪みをもたらすため、理想的な半導体光増幅器は、歪みを最小限に抑えながら優れた直線性と最大のダイナミックレンジを実現するために、非常に高い飽和出力を持つ必要があります。理想的な半導体光増幅器は、出力における増幅自然放出光(ASE)電力を最小限に抑えるために、非常に低い雑音指数(物理的限界は3dB)を持つ必要があります。最後に、理想的な半導体光増幅器は、横方向電気(TE)偏光状態と横方向磁気(TM)偏光状態間のゲイン差を最小限に抑えるために、非常に低い偏光感度を持つ必要があります。しかし、半導体光増幅器内で行われるさまざまなプロセスの物理的限界により、理想的な半導体光増幅器を実現することは不可能です。
InPhenixの1310nm半導体光増幅器は、Oバンド光増幅器に最適です。InPhenixは、Eバンド、Sバンド、Cバンド、Lバンド、Uバンドの波長に対応した半導体光増幅器も提供しています。
Oバンド半導体光増幅器
利点
- 飽和電力 > 10dB
- Oバンド全体(1270~1340nm)にわたって小信号ゲインが10dB以上
- リップル < 1 dB
- コンパクト + 低コスト
アプリケーション
- 100GBASE-LR4トランシーバーのテストと測定
- 受動部品のテスト
- 分岐/タップ損失補償
- 到達距離の延長(リンクバジェットの増加):ブースターアンプとアンプごと
半導体光増幅器(SOPA)は、適切な動作条件下で入力光信号を増幅できる光電子デバイスです。基本的なSOPAの回路図を図1(下図)に示します
図1 – 半導体光増幅器の簡略図。
半導体光増幅器(SOPA)に外部から印加される電流は、順方向バイアスされたpn接合の活性領域内の電子を励起します。光子が活性領域を通過する際、これらの電子は余分なエネルギーの一部を失い、最初の光子の波長に一致する光子をさらに生成します。これを誘導光子放出と呼びます。埋め込まれた導波路は、伝播する信号波を活性領域内に閉じ込めるために使用されます。したがって、活性領域を通過する光信号は増幅され、光利得を得たと言われます。
Inphenix の半導体光増幅器には、CFP/CFP2 トランシーバーに搭載できる 6 ピン ミニ バタフライから、ドライバーやカスタム オーダーの受動部品と統合できるデスクトップまで、さまざまなフォーム ファクターがあります。
InPhenix は、ゲイン、帯域幅、偏光感度などの優れたパラメータを備えた、さまざまなアプリケーション向けの半導体光増幅器ソリューションを提供しています。
Inphenix Semiconductor 光増幅器は、非常に高い信頼性を実現する Telcordia GR-468-CORE の要件を満たすようにテストされており、RoHS 指令にも準拠しています。
半導体光増幅器の増幅特性
Inphenixの半導体光増幅器は、光ネットワークの重要な構成要素となる、汎用性と多機能を兼ね備えたデバイスであることが実証されています。半導体光増幅器の特性を評価する際に用いられる主なパラメータは以下の5つです。
- 小信号ゲイン (Gs); -25dBm 入力電力で最大 22 dB;
- ゲイン帯域幅: 3 dBで最大80 nm
- 飽和出力電力 (Psat) 最大 17 dBm;
- ノイズ指数(NF)7.0~8.0 dB;
- 偏波依存利得(PDG)< 1 dBまたは最大10 dB
半導体光増幅器は、用途に応じて最適なゲインを持つ必要があります。また、半導体光増幅器が広範囲の信号波長を増幅できるように、広い光帯域幅も必要です。ゲイン飽和効果は出力に望ましくない歪みをもたらすため、理想的な半導体光増幅器は、良好な直線性を実現し、歪みを最小限に抑えながらダイナミックレンジを最大化するために、非常に高い飽和出力を持つ必要があります。理想的な半導体光増幅器は、出力における増幅自然放出光(ASE)電力を最小限に抑えるために、非常に低い雑音指数(物理的限界は3dB)を持つ必要があります。最後に、理想的な半導体光増幅器は、横方向電気(TE)偏光状態と横方向磁気(TM)偏光状態間のゲイン差を最小限に抑えるために、非常に低い偏光感度を持つ必要があります。しかし、半導体光増幅器内で行われるさまざまなプロセスの物理的限界により、理想的な半導体光増幅器を実現することは不可能です。
図 2 – 半導体光増幅器の相互関連パラメータ
半導体光増幅器のパラメータは互いに強く関連しており、1 つのパラメータの最適値を達成するには、図 2 に概略的に示すように、他の仕様を妥協したり、スペクトル動作領域を制御したりする必要がある場合があります。
半導体光増幅器の種類
半導体光増幅器が顧客のシステムで果たす役割に応じて、インライン、ブースター、スイッチおよびプリアンプの 4 つのカテゴリに分類できます。
- インライン:ゲインが高く、Psat が中程度。NF と PDG が低く、通常は偏光に依存しない半導体光増幅器。
- ブースター:Psat が高く、ゲインが低く、通常は偏光に依存します。
- スイッチ:消光比が高く、立ち上がり/立ち下がり時間が速い。
- プリアンプ: 伝送距離が長く、NF が低く、ゲインが高い場合に適しています。
さらに、PDGは半導体光増幅器の極性を判定できます。例えば、PDGが1.5dB未満の場合、半導体光増幅器は極性非依存(PI)であり、PDGが10dBまでの場合、半導体光増幅器は極性依存(PD)です。
半導体光増幅器の応用
従来のアプリケーション
増幅は、光通信システムにおける半導体光増幅器(SOP)の基本原理です。SOPは、通信における様々な増幅やルーティング機能に使用できる非常に汎用性の高いコンポーネントです。市販されているSOPは現在、市場で広く入手可能であり、コア、メトロ、そして最終的にはアクセスアプリケーション向けの高度な光システムにおける光増幅のための費用対効果の高いソリューションとして急速に普及しています。SOPは、あらゆる光通信ネットワークにおいて、ブースター増幅器(ポスト増幅器)またはインライン増幅器として動作させることで、リンク内の様々なポイントで信号を再生するために使用できます。
通信
半導体光増幅器(SOA)は、幅広い業界で使用されています。中でも最も重要な業界の一つは通信業界で、ルーティングやスイッチングに活用されています。さらに、SOAは長距離光ファイバー通信の信号出力を増幅・ブーストするためにも使用されます。この用途では、通信会社は本社からデータセンターまで光ファイバー回線を敷設しています。これらの伝送路は10kmを超えることもあり、通常の光源からの信号を増幅・ブーストするためにSOAを使用する必要があります。
図 3 – 光子キャリア内の半導体光増幅器 (上) は、光子集積回路 (PIC) (左下) で使用できます。
機能的なアプリケーション
半導体光増幅器は、将来の光透過ネットワークにおいて有用な機能を実行するためにも使用できます。これらの全光機能は、光波長変換器など、現在高速光通信ネットワークの展開における主要な制限要因となっている、いわゆる「電子ボトルネック」を克服するのに役立ちます。半導体光増幅器の機能的応用は、常に半導体光増幅器の非線形性に基づいています。これらの非線形性は、主に増幅器の入力信号によって引き起こされるキャリア密度の変化によって引き起こされます。半導体光増幅器で一般的に利用される4つの主要な非線形性のタイプは、相互利得変調(XGM)、相互位相変調(XPM)、自己位相変調(SPM)、および四光波混合(FWM)です。
センシング
センシングは、半導体光増幅器(SOA)を様々な用途で活用する重要な産業の一つです。センサーシステムにおけるSOAの重要な用途の一つは、ファイバーブラッグインタロゲータです。この構成では、SLDまたはDFBが入力光源として使用されます。SOAは、光信号を増幅し、ファイバーブラッググレーティング(FBG)に送ります。この際、光信号の方向を制御するためにサーキュレータが使用されることがよくあります。温度や歪みの変化によって、PD/センサーへの光信号の波長やタイミングが変化することが知られています。これにより、ユーザーに故障の可能性を警告することができます。
図4-半導体光増幅器を備えたファイバブラッググレーティングインライン増幅器
半導体光増幅器のセンシングにおけるもう一つの重要な用途は、光検出・測距(LiDAR)です。LiDARデバイスは、ドップラー測距のみを行う小型デバイスから、マッピング機能を備えたアレイデバイスまで様々です。LiDARアプリケーションの一例として、周波数変調連続波(FMCW)を用いて、自動運転車やドローンなどの動きのドップラー効果を検出します。さらに、FMCWは地図作成や検査にも利用できます。狭帯域で使用される半導体光増幅器(通常はDFB)は、20mWを超える高出力を実現し、長距離測定を可能にします。
図5 – 半導体光増幅器を内蔵したLiDARチップ。これらのチップをアレイ状に配置することで、広範囲のスキャンが可能になります。
図6 – 周波数変調連続波(FMCW)LiDAR。緑色で示されているのは半導体光増幅器
CWDM
小型、優れた集積性、そして製造プロセスのスケール化による高いコスト削減の可能性といった、これまで強調してきた特長により、半導体光増幅器(SOP)は、将来の高度な光ネットワークにおいてますます重要な役割を果たすでしょう。CWDM(Coarse Wavelength Division Multiplexing)は、メトロおよびエンタープライズネットワーク層において接続の柔軟性とスループットの向上を実現する経済的な手段です。CWDMシステムの容量と距離(100 km超)を拡張するには、光帯域全体(1260 nmから1620 nm)で動作する低コストの光増幅器が必要です。半導体光増幅器は、これらの拡大するアプリケーションに対応するために導入できる、現在利用可能な唯一の現実的な技術です。
WDM-PON
半導体光増幅器(SOP)は、通信分野において波長分割多重方式受動光ネットワーク(WDM-PON)での利用において、その役割を拡大しています。本社からデータを受信する顧客まで光ファイバー回線を利用するケーブル会社は、多くの場合、データのスイッチングとルーティングを支援するノード(配信センター)を設置しています。この構成により、大規模な顧客ベースへの効率的なデータ配信が可能になります。半導体光増幅器はWDM-PONの初期のアプリケーションですが、将来的には成長が見込まれます。
半導体光増幅器には、強度および位相変調、光信号処理に使用する半導体光増幅器ロジック、光時分割多重化ネットワーク用の半導体光増幅器アド/ドロップ マルチプレクサ、高周波数 (> 10 GHz) で簡単にパルスを生成できる半導体光増幅器パルス ジェネレータ、光受信機および 3R ジェネレータに必要な半導体光増幅器クロック回復、伝送距離を制限する色分散を克服するための半導体光増幅器分散補償器、光信号を検出するための半導体光増幅器検出器など、他の魅力的なアプリケーションがいくつかあります。半導体光増幅器は光信号のゲーティングにも使用できます。つまり、信号は半導体光増幅器によって増幅または吸収できます。低バイアス電流での半導体光増幅器のブロッキング特性は、再構成可能なアド/ドロップ マルチプレクサ (ROADM) などのチャネル ルーティング機能を 50 dB を超えるオフ チャネル アイソレーションで生成できるため、非常に便利です。
半導体光増幅器の利点
- 帯域幅内で半導体光増幅器によって提供される光利得は、入射光信号の波長から比較的独立しています。
- 注入電流は光ポンピングの代わりに増幅用のポンプ信号として機能します。
- 半導体光増幅器はコンパクトなため、単一の平面基板上に複数の導波路光子デバイスを統合できます。
- ダイオードレーザーと同じ技術を使用します。
- 半導体光増幅器は、より広い帯域幅(最大 100 nm)で 1300 nm および 1550 nm の通信スペクトル帯域で動作する能力を備えています。
- これらは、光受信端のプリアンプとして機能するように構成および統合できます。
- 半導体光増幅器は、WDM 光ネットワーク内の単純な論理ゲートとして機能します。
半導体光増幅器の限界
- 半導体光増幅器(SOA)は、最大数十ミリワット(mW)の光出力しか供給できません。これは通常、光ファイバー通信リンクにおける単一チャネル動作には十分です。しかし、WDMシステムでは、チャネルあたり最大数mWの光出力が必要になる場合があります。
- 入力光ファイバーを半導体光増幅器集積チップに結合すると信号損失が発生する傾向があるため、半導体光増幅器はアクティブ領域の入出力ファセットにおけるこの損失の影響を最小限に抑えるために追加の光ゲインを提供する必要があります。
- 半導体光増幅器は、入力光信号の偏光に対して非常に敏感です。
- 光ファイバー増幅器よりもアクティブ媒体で高いノイズレベルを生成します。
- WDM アプリケーションで必要に応じて複数の光チャネルを増幅する場合、半導体光増幅器によって深刻なクロストークが発生する可能性があります。
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